本篇文章2082字,读完约5分钟

“跨国婚姻”一经宣布,就震动了整个半导体圈。

6月23日,SMIC宣布将与华为、比利时微电子研究中心(imec)和高通共同投资成立SMIC新集成电路技术研发(上海)有限公司,开发下一代cmos逻辑工艺。

新公司由SMIC、华为、imec和高通所有。在最初阶段,公司专注于14纳米逻辑工艺的研发。法定代表人为首席执行官兼执行董事,总经理为副总裁于。

从总量上看,上述四家公司在各自领域都是世界领先的半导体公司,在寡头垄断、寡头垄断和寡头联盟的国际半导体产业竞争新时代,四家公司之间的合作更具有跨时代意义。中国习近平主席和比利时国王菲利普见证了签字仪式。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

“中国核心”项目登陆

与以往的合作方式不同,此次合作是无晶圆半导体制造商首次以股东身份加入R&D流程,从而缩短了产品开发流程,加快了先进工艺节点铸造的时间。

“集成电路制造企业的特点决定了它们将永远面临全球市场的激烈竞争。只有技术最先进的企业才能享受高利润率。同时,集成制造企业对资本的需求将随着技术的演进而增加。与28纳米相比,14纳米工艺的难度明显增加,设备投资也翻了一番。如何整合产业链上下游力量,缩短研发时间,节约成本,是SMIC的诉求。”接近SMIC的人士告诉中国商业新闻。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

华为相信,有了这种合作,中国最先进的集成电路R&D平台就可以建成。

“华为始终坚持开放、合作、共赢的原则。我相信,这次合作将整合全球集成电路领域的优势资源和能力,提升中国集成电路产业的整体水平,使更多的运营商、企业和消费者受益。和产业链合作伙伴。”华为告诉记者。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

不过,华为表示,披露投资比例并不方便。

中国移动联盟秘书长王艳辉表示,华为与SMIC的合作更多的是一种战略投资。目前,TSMC仍是包括高通和华为在内的芯片制造商的主要代工伙伴。

"高通也应该能够给中芯国际提供技术援助."王艳辉告诉记者,当TSMC和三星分别开发20纳米和14纳米工艺时,高通公司为他们提供了技术援助。高通公司也是SMIC 28纳米工艺的最早客户,并为其快速工艺成熟做出了贡献。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

“高通这次加入是出于另一个重要考虑,即缩小与中国大陆的距离。2013年之前,高通在中国销售芯片和收取专利费用方面发挥了更重要的作用。然而,自去年以来,高通公司明显感觉到其战略正在发生变化,更多地参与了由中国政府或中国企业牵头的项目。”王艳辉说,去年以来,国家大力强调信息安全,出台政策支持地方集成电路产业发展。一些外资企业开始适应新的政策形势,通过本土化战略赢得政府的信任。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

去年,高通在中国遭遇了反垄断调查。当时,作为游戏的一部分,高通选择了SMIC来贴牌生产其部分产品。

上述与SMIC关系密切的人士告诉记者,对于无晶圆半导体制造商来说,从集成电路行业的发展来看,理想的数字电路模型正在逐渐失效,模拟化的趋势日益明显。无晶圆半导体制造商需要对工艺和器件有更深的理解,新工艺和新材料的引入要求他们与制造企业紧密合作,因此高通和华为有这样的需求。Imec是世界领先的微电子研究中心。ibm退出半导体制造业务后,成为唯一拥有独立知识产权的独立技术研发机构。SMIC是中国最有能力进行14纳米工艺研发的制造企业,一个可以提供技术,另一个急需技术,双方有很强的合作意向。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

同时,从某种意义上说,合资公司的技术也代表了中国的国家工业化水平,从而实现更多的商业化。

产业融合浪潮下的赶超

“在中国市场蓬勃发展的同时,我们也应该看到目前国内集成电路制造企业所面临的一些困难,包括工艺水平的差距,由于现有的差距,国内制造企业无法享受到先进技术带来的红利,使得设备投资回报率低,运营成本高。”上述与SMIC关系密切的人告诉记者。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

这也直接导致了“中国核心”普遍较小和分散。如今,小到手机和平板电脑,大到民用飞机和导弹,大规模集成电路是必不可少的。据统计,近年来,中国每年进口的集成电路芯片总值超过了石油进口。在这个行业中,中国的技术水平至少落后于国际领先水平3~4年。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

从全球的角度来看,半导体铸造巨头TSMC已经从28纳米升级到20纳米、16纳米和接近14纳米。三星崛起后,它直接从28纳米过渡到14纳米。近年来,集成电路的制造过程被迅速重复。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

作为mainland China领先的集成电路制造企业,SMIC成熟的制造工艺仍然是28纳米。去年6月,国务院出台了《促进全国集成电路产业发展纲要》,提出到2020年实现16/14纳米制造工艺的大规模生产。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

接近SMIC的人士告诉记者,四家公司的合作,借助技术合作和资金手段,可以打开产业链布局的R&D基础资源,发展先进技术的自主研发能力,在20纳米以下节点演进的关键阶段形成第一阶段的追赶能力,并可以授权国内其他产业公司使用,这可以在提升自身实力的同时轻松推动中国集成电路产业的发展。即使它赶不上竞争对手英特尔和三星,它也有望超过TSMC和UMC的大规模生产,进入全球工艺第一军团。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

然而,王艳辉承认“在弯道超车”并不容易。

“应该说,SMIC 14海里的开发有点晚了,要充分开发自己还需要很长时间。合资企业起到了催化剂的作用,并将加速14纳米工艺的成熟。”王艳辉说。

同时,TSMC和三星今年可以实现14纳米工艺的大规模生产,并可能在2020年推出10纳米和7纳米制造工艺。目前,高通芯片的主要代工伙伴仍然是TSMC,而华为是TSMC的战略合作伙伴。当TSMC开发16纳米技术时,HiSilicon是它的第一个客户。

集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

“在铸造行业,竞争的成败取决于价格和技术领先。SMIC的14纳米工艺在未来走向成熟后,只能说在同一个14纳米制造竞争中,行业内还有一个选择。”王艳辉说。

标题:集成电路巨头联手打造“研发池”中国芯能否实现弯道超车?

地址:http://www.cwtstour.com/ccxw/11110.html